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分立半导体
UF3C120040K4S参考图片

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UF3C120040K4S

  • UnitedSiC
  • 新批次
  • MOSFET 1200V 35m? SiC Cascode Fast
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数量单价合计
1
¥400.6415
400.6415
5
¥378.9794
1894.897
10
¥368.1427
3681.427
25
¥342.164
8554.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
65 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
429 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UF3C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
UnitedSiC
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
24 ns
商品其它信息
优势价格，UF3C120040K4S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SA2126-TL-H
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 50V
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
700:¥1.9323
参考库存:4685
P600A-E3/73
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 6A,50V,PLASTIC RECT
1:¥6.0681
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
参考库存:6313
T470N14TOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 Phse Cntrl Thyristrs 470A 1400V
1:¥674.5761
5:¥662.1348
10:¥632.3932
25:¥611.2622
参考库存:4013
NTSB40100CT-1G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 LVFR 40A 100V I2PAK
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.6785
500:¥9.2999
参考库存:4550
STF28NM60ND
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET Nchanl 600V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
1:¥51.0986
10:¥46.1831
25:¥44.0248
100:¥38.2618
参考库存:5012
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