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分立半导体
RGS00TS65DHRC11参考图片

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RGS00TS65DHRC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V
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数量单价合计
1
¥33.1203
33.1203
10
¥28.1257
281.257
100
¥24.3628
2436.28
250
¥23.1311
5782.775
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
88 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
88 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGS00TS65DHR
商品其它信息
优势价格，RGS00TS65DHRC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD810023SCL
Advanced Linear Devices
分立半导体
MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:2036
APT80GA90LD40
Microsemi
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥116.7968
10:¥106.1974
25:¥98.197
50:¥92.8973
参考库存:2086
ALD810022SCL
Advanced Linear Devices
分立半导体
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:2088
PH2226-110M
MACOM
分立半导体
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,251.7962
2:¥2,214.2237
5:¥2,177.8716
10:¥2,142.7625
25:¥2,065.5383
参考库存:2050
CDLL4697
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1:¥37.5725
10:¥30.1936
25:¥29.6625
100:¥27.5042
参考库存:2114
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