您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
RGS00TS65DHRC11参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

RGS00TS65DHRC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:5,435(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.1203
33.1203
10
¥28.1257
281.257
100
¥24.3628
2436.28
250
¥23.1311
5782.775
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
88 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
88 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGS00TS65DHR
商品其它信息
优势价格,RGS00TS65DHRC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:5815
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
1,000:¥12.3735
2,000:查看
参考库存:5669
分立半导体
稳压二极管 0.5W 5.6V 5%
1:¥1.2317
10:¥1.02943
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
参考库存:50396
分立半导体
MOSFET OptiMOS - power MOSFET for automotive applications
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.2153
5,000:¥9.0626
10,000:查看
参考库存:9544
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 6.2V 1% 250mW 3-Pin
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.9605
参考库存:42062
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们