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分立半导体
RGS00TS65DHRC11参考图片

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RGS00TS65DHRC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V
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1
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33.1203
10
¥28.1257
281.257
100
¥24.3628
2436.28
250
¥23.1311
5782.775
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
88 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
88 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGS00TS65DHR
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N4466US
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参考库存:36029
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