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分立半导体
STGW20V60DF参考图片

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STGW20V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:4,764(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
500
¥13.9894
6994.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW20V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW20V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2715
500:¥5.5483
参考库存:6189
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
1:¥85.7557
10:¥78.9192
25:¥75.6083
100:¥66.6248
参考库存:4886
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,500:¥3.1753
参考库存:6968
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LV High Perf PNP VCBO -40 VCEO -40
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
10,000:¥0.89157
20,000:查看
参考库存:23995
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V VR 1A 0.51V VF PMDU; SOD-123FL
1:¥3.9211
10:¥3.0058
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.05316
参考库存:10019
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