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分立半导体
BSO200P03S H参考图片

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BSO200P03S H

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P
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10
¥5.9212
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100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
1,000
¥3.1753
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9.1 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
BSO200P03SHXUMA1 BSO2P3SHXT SP000613850
单位重量
540 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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45,000:¥0.80682
99,000:¥0.77631
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