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分立半导体
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STD5NK40Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A
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数量单价合计
1
¥9.831
9.831
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.4297
642.97
500
¥5.6839
2841.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STD5NK40Z-1
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.2 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.5 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSM200GB120DLC
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
1:¥1,372.3624
5:¥1,339.3212
10:¥1,306.054
25:¥1,287.7593
参考库存:28257
DMA564070R
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双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
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暂无价格
参考库存:28269
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