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分立半导体
STGWT40H65DFB参考图片

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STGWT40H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
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库存:3,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1202
31.1202
10
¥26.4307
264.307
100
¥22.8938
2289.38
250
¥21.7412
5435.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40H65DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥7.1642
4,500:¥6.9043
9,000:¥6.6331
参考库存:37524
分立半导体
稳压二极管
100:¥137.3854
200:¥125.2492
500:¥117.181
参考库存:37527
分立半导体
桥式整流器 A 1PHFW 5.5A SFST 150V
10:¥891.6491
25:¥879.818
50:¥850.0086
100:¥802.5147
参考库存:37530
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥140.1539
250:¥127.7804
500:¥119.5653
参考库存:37533
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.8195
4,500:¥5.6048
9,000:¥5.3788
参考库存:37536
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