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分立半导体
2SC4915-O,LF参考图片

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2SC4915-O,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Radio-Frequency Bipolar Transistor
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥2.5764
25.764
100
¥1.2204
122.04
1,000
¥0.9379
937.9
3,000
¥0.77631
2328.93
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
最大直流电集电极电流
20 mA
增益带宽产品fT
550 MHz
最大工作温度
+ 125 C
系列
2SC4915
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 1 mA, 6 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 1 nA, 6 V
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，2SC4915-O,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD19537Q3
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 100v N ch MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2658
2,500:¥3.6951
10,000:查看
参考库存:34434
SQJ456EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥40.6461
10:¥33.7305
100:¥27.7415
250:¥26.894
500:¥24.1255
3,000:¥24.1255
参考库存:4640
1214-30
Microsemi
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥2,215.4554
2:¥2,162.1194
5:¥2,139.1465
10:¥2,108.4105
参考库存:3768
ZXMS6004FFQTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,000:¥3.5934
3,000:¥3.5934
参考库存:45751
IDH02G120C5XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC CHIP/DISCRETE
1:¥23.1311
10:¥19.6733
100:¥17.063
250:¥16.2155
参考库存:4442
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