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分立半导体
IRLH5030TRPBF参考图片

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IRLH5030TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 44nC
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库存：10,147(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2836
22.2836
10
¥18.9049
189.049
100
¥15.142
1514.2
500
¥13.221
6610.5
1,000
¥10.9836
10983.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
9.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
160 S
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
72 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SP001558752
商品其它信息
优势价格，IRLH5030TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847BMB,315
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V NPN 100mA 250mW
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:17996
BUT11AFTU
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor
1:¥8.1473
10:¥6.9043
100:¥5.2997
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:2941
DMN2041L-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET,N-CHANNEL
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:13052
QS5K2TR
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
1:¥3.842
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.4803
参考库存:29578
PSMN8R5-100ESQ
Nexperia
分立半导体
MOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.3563
参考库存:6031
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