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分立半导体
IPB80N04S2H4ATMA2参考图片

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IPB80N04S2H4ATMA2

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库存:3,693(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥18.3625
183.625
100
¥15.9782
1597.82
250
¥15.142
3785.5
1,000
¥11.4469
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
103 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPB80N04S2-H4 SP001058130
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80N04S2H4ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 VRM=600 IFSM=60
1:¥18.984
10:¥17.289
100:¥14.9047
500:¥13.2888
参考库存:2521
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE ARRAY 80V 250MA SOT363
3,000:¥0.9379
6,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
24,000:¥0.75258
参考库存:50753
分立半导体
整流器 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1:¥1.4577
10:¥1.1978
100:¥0.46104
1,000:¥0.29154
5,000:¥0.2147
参考库存:12247
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,40V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.5369
10:¥2.7685
100:¥1.9097
500:¥1.3108
1,800:¥0.87575
3,600:查看
参考库存:3672
分立半导体
MOSFET 800V N-Ch LR FET 12A 30Vgs 12A 7.6nC
1:¥26.3516
10:¥23.5944
100:¥21.4361
250:¥19.3682
500:¥15.6731
参考库存:2278
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