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分立半导体
STGIPN3H60T-H参考图片

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STGIPN3H60T-H

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
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库存:1,488(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
栅极—射极漏泄电流
-
Pd-功率耗散
8 W
封装 / 箱体
NDIP-26L
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
STGIPN3H60T-H
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
476
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格,STGIPN3H60T-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 4.0 Amp 600 Volt
1:¥8.1473
10:¥6.9495
100:¥5.3449
500:¥4.7234
2,500:¥3.2996
10,000:查看
参考库存:5256
分立半导体
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
1:¥5.2997
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥1.7628
参考库存:8286
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W NPN
1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
参考库存:3409
分立半导体
MOSFET CSD17579Q3A 30 V 8-VSONP
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6272
参考库存:22485
分立半导体
整流器 600 Volt 60 Amp
1:¥65.54
10:¥59.0086
25:¥53.788
100:¥48.4883
参考库存:3057
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