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分立半导体
CSD17579Q3A参考图片

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CSD17579Q3A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD17579Q3A 30 V 8-VSONP
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库存：22,485(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.068
40.68
100
¥2.4747
247.47
1,000
¥1.9097
1909.7
2,500
¥1.6272
4068
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
39 A
Rds On-漏源导通电阻
10.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17579Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
37 S
开发套件
TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
27.300 mg
商品其它信息
优势价格，CSD17579Q3A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5271A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥32.1937
10:¥25.8996
100:¥23.5944
250:¥21.2892
参考库存:5091
JANTX1N5804
Microsemi
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥86.445
10:¥77.8344
25:¥70.9188
100:¥64.0032
参考库存:4763
2N2222A
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥46.1831
10:¥37.1092
25:¥36.499
100:¥33.8096
参考库存:5307
BU2508-E3/51
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 25 Amp 800 Volt
1:¥21.2101
10:¥17.5941
100:¥13.673
500:¥11.9893
1,000:¥9.9101
参考库存:5762
DL5234B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 500mW 6.2V
1:¥2.8476
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
2,500:¥0.4068
参考库存:7858
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