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分立半导体
ALD212902PAL参考图片

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ALD212902PAL

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库存:5,007(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.341
40.341
10
¥36.1148
361.148
25
¥32.4988
812.47
50
¥31.6626
1583.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
79 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
180 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD212902P
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,ALD212902PAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HIGH GAIN
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
参考库存:4741
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:8928
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 0.5W 2%
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:16573
分立半导体
整流器 100 Volt 2.0A 15ns 80 Amp IFSM
1:¥3.4578
10:¥2.3843
100:¥1.6046
500:¥1.2882
4,000:¥0.83733
8,000:查看
参考库存:6777
分立半导体
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
4,000:¥1.7628
参考库存:23042
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