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FQA7N80C-F109参考图片

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FQA7N80C-F109

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库存：5,372(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5886
20.5886
10
¥17.515
175.15
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.3736
3593.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
198 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA7N80C_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
FQA7N80C_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，FQA7N80C-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SK24AHF2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,40V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
15,000:¥0.69156
22,500:¥0.66105
参考库存:20988
SS115 F2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,150V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
15,000:¥0.72207
参考库存:20991
MURTA60060R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141R
18:¥1,048.4818
36:¥1,011.8246
54:¥989.4732
参考库存:20994
CMOSH-3 BK
Central Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30Vrrm 100mA 250Ifrm 750Ifsm 250mW
5,000:¥2.2487
10,000:¥2.1696
25,000:¥2.0905
参考库存:12369
SK12H45HR0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12A, 45V, PV SHOTTKY
2,500:¥3.39
参考库存:20999
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