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分立半导体
MG1225H-XBN2MM参考图片

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MG1225H-XBN2MM

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 模块 1200V 25A IGBT
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数量单价合计
1
¥627.0144
627.0144
5
¥607.6462
3038.231
10
¥587.826
5878.26
25
¥568.2318
14205.795
50
¥560.4687
28023.435
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Converter Brake Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
147 W
封装 / 箱体
Package H
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
系列
MG1225H-XBN2MM
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
80
子类别
IGBTs
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格，MG1225H-XBN2MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B20S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 20V
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:26354
BZT52B3V3S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 3V3
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:26357
BZX84C3V0 RFG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 3,0v, 350mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.28476
参考库存:26360
BZT55B47 L1 G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 47v
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:26363
BZT55C39 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 39v
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:26366
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