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分立半导体
APT45GP120B2DQ2G参考图片

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APT45GP120B2DQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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数量单价合计
1
¥158.5164
158.5164
5
¥151.4539
757.2695
10
¥146.6853
1466.853
25
¥134.7751
3369.3775
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
T-Max-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
113 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
113 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
113 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT
商品其它信息
优势价格，APT45GP120B2DQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDZX11C-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 300MW 11V
3,000:¥0.29154
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
参考库存:26368
NTMFS4C05NAT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH
3,000:¥1.9775
9,000:¥1.9097
24,000:¥1.8306
49,500:¥1.7967
参考库存:26371
VS-ST280CH06C0
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 600 Volt 500 Amp
12:¥563.4632
36:¥545.338
60:¥538.0382
108:¥508.9859
参考库存:26374
FEPB16HTHE3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 16A 500V 50ns Dual 125 Amp IFSM
1,000:¥6.4636
2,000:¥6.0229
5,000:¥5.7969
10,000:¥5.5709
参考库存:26377
BZD27B20P-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF 150W Pppm. Uni-Dir
30,000:¥0.72207
参考库存:26380
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