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分立半导体
IRFZ44ESTRRPBF参考图片

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IRFZ44ESTRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC
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库存:2,787(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.7632
9.7632
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.441
644.1
500
¥5.6952
2847.6
800
¥4.4974
3597.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
48 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Preliminary
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001552514
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFZ44ESTRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 high voltage diode
1:¥210.6207
5:¥208.3946
10:¥194.247
25:¥185.5686
参考库存:1019
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-23 -0.1A 210 to 480hFE -45V
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:10925
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 4.7kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:4122
分立半导体
分立半导体模块 1200 Volt 80 Amp 1570 Amp IFSM
1:¥287.5398
5:¥279.9236
10:¥269.0982
参考库存:1028
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥53.4038
10:¥48.251
25:¥46.0249
100:¥39.9568
参考库存:1262
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