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分立半导体
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IPD06P002NATMA1

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1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.3733
4186.65
2,500
¥6.4749
16187.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPD06P002N
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX79-C51,133
Nexperia
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稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
10,000:¥0.13786
20,000:¥0.13108
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BTA312B-800ET,118
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参考库存:27356
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