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分立半导体
IRG4PH50SPBF参考图片

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IRG4PH50SPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V DC-1kHz
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库存：1,942(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.1042
50.1042
10
¥42.5671
425.671
100
¥36.8832
3688.32
250
¥34.9622
8740.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
57 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
33 A
高度
20.7 mm (Max)
长度
15.87 mm (Max)
宽度
5.31 mm (Max)
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533562
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG4PH50SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5253C-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 25 Volt 0.225W 2%
1:¥2.3843
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:23365
AZ23B3V9-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.3W 2% CA AUTO
1:¥3.1527
10:¥1.7402
100:¥0.9379
500:¥0.75258
15,000:¥0.4068
参考库存:23368
AZ23B18-G3-18
Vishay
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 0.3W 2% CA
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:23371
BZT52C30-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 0.41W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:23374
NSVMUN5333DW1T3G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
10,000:¥0.63732
20,000:查看
参考库存:71237
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