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分立半导体
STF9NM60N参考图片

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STF9NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
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数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥14.7578
147.578
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.2943
5147.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
745 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
17.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF9NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
26.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52.5 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF9NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1PMT4134C/TR13
Microsemi
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12,000:¥6.0681
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50:¥1,445.4395
参考库存:26985
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