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分立半导体
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IPP80R900P7XKSA1

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库存：3,053(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2998
729.98
500
¥6.4523
3226.15
1,000
¥5.0963
5096.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
770 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP80R900P7 SP001633486
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，IPP80R900P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM5N700T2
Rectron
分立半导体
MOSFET TO-220 MOSFET
1,000:¥5.5031
2,000:¥4.7234
4,000:¥4.3053
10,000:¥3.9211
参考库存:52862
STTH512D
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Ultrafast recovery 1200 V diode
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6105
500:¥5.8421
参考库存:6866
STGB40V60F
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
1:¥31.5044
10:¥26.7358
100:¥23.2102
250:¥21.9785
1,000:¥16.6788
2,000:查看
参考库存:6079
STL30P3LLH6
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 package
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:8082
1N4777A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥575.6107
参考库存:52871
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