您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
CSD19536KCS参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

CSD19536KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:4,869(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5836
33.5836
10
¥30.1936
301.936
100
¥24.6679
2466.79
250
¥23.1311
5782.775
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
259 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19536KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
307 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,CSD19536KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP HighG 40V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:4311
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
5,000:¥2.3843
参考库存:39978
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4351
1,000:¥1.07576
3,000:¥0.92999
参考库存:12016
分立半导体
MOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 3A STripFET VI
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
3,000:¥3.4804
9,000:查看
参考库存:9486
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:15004
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们