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分立半导体
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FDG6318PZ

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库存:85,461(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.0397
30.397
100
¥1.6498
164.98
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.06785
3203.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
780 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG6318PZ
晶体管类型
2 P-Channel
类型
FET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.1 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,FDG6318PZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥3.616
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
6,500:¥1.11418
13,000:查看
参考库存:7586
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10:¥2.9493
100:¥2.1922
500:¥1.7967
6,500:¥1.1865
参考库存:8613
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