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分立半导体
QPD1025L参考图片

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QPD1025L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
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¥6,170.252
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22.9 dB
Id-连续漏极电流
28 A
输出功率
1.5 kW
最大漏极/栅极电压
225 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
758 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
应用
Avionics, IFF Transponders
配置
Dual Gate Dual Drain
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1025LEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD1025L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3635L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.8294
200:¥82.829
500:¥77.4502
1,000:¥71.077
参考库存:32986
JANTXV1N4132UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥105.0448
137:¥105.0448
200:¥95.824
500:¥89.5977
1,000:¥82.2188
参考库存:32989
JANTXV1N3040B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥110.9547
130:¥110.9547
200:¥101.2028
500:¥94.6714
1,000:¥86.8292
参考库存:32992
JANTX1N5518D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥147.9961
200:¥135.8486
500:¥129.2494
参考库存:32995
JANTX1N5543D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥183.3425
200:¥168.2005
500:¥160.1323
参考库存:32998
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