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分立半导体
SQD50P08-25L_GE3参考图片

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SQD50P08-25L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
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库存:29,635(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥19.5151
195.151
100
¥15.6731
1567.31
500
¥12.1362
6068.1
2,000
¥8.9948
17989.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
91 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,SQD50P08-25L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 150mW 15V Zener
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.92999
1,000:¥0.59212
4,000:¥0.44522
参考库存:37005
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
1:¥23.052
10:¥19.5942
100:¥16.9839
250:¥16.1364
500:¥14.4414
参考库存:1847
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥918.238
10:¥861.6024
25:¥852.5398
50:¥838.4826
参考库存:37010
分立半导体
整流器 Vr/200V Io/1A T/R
1:¥0.7684
25:¥0.29154
100:¥0.24634
250:¥0.1695
500:¥0.13786
5,000:¥0.13786
参考库存:19598
分立半导体
分立半导体模块 25A 120VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥480.0918
10:¥457.5031
25:¥446.9828
50:¥436.4512
100:¥423.7726
参考库存:37015
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