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分立半导体
FF300R12KT4PHOSA1参考图片

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FF300R12KT4PHOSA1

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
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库存:3,650(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,018.5142
1018.5142
5
¥998.5358
4992.679
10
¥951.9685
9519.685
25
¥932.0692
23301.73
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT4P SP001056206
商品其它信息
优势价格,FF300R12KT4PHOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
25:¥789.4519
50:¥773.1686
100:¥745.348
参考库存:28450
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VRM=30 IFSM=60
7,500:¥3.4239
22,500:¥2.9606
参考库存:28453
分立半导体
整流器 100V 200A Super Fast Recovery
25:¥589.6679
50:¥577.5317
100:¥556.7058
参考库存:28456
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
60,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:28459
分立半导体
整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A 400PV
60:¥252.8036
100:¥240.0459
200:¥224.0677
参考库存:28462
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