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分立半导体
FF300R12KT4PHOSA1参考图片

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FF300R12KT4PHOSA1

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
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库存：3,650(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,018.5142
1018.5142
5
¥998.5358
4992.679
10
¥951.9685
9519.685
25
¥932.0692
23301.73
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT4P SP001056206
商品其它信息
优势价格，FF300R12KT4PHOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S1BB-13-F
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 100V 1A
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:20713
1N5408-E3/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 3.0 Amp 1000 Volt
1:¥4.3844
10:¥2.938
100:¥1.9775
500:¥1.5933
1,400:¥1.1978
2,800:¥1.10627
参考库存:14309
BD243CG
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W NPN
1:¥7.3789
10:¥6.2828
参考库存:3894
IRF9Z34SPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET P-Chan 60V 18 Amp
1:¥13.8312
10:¥11.2209
100:¥10.0683
500:¥7.8422
1,000:¥6.5201
参考库存:4700
BAT54SWT1G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 200mW Dual
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:108339
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