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分立半导体
FF300R12KT4PHOSA1参考图片

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FF300R12KT4PHOSA1

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
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数量单价合计
1
¥1,018.5142
1018.5142
5
¥998.5358
4992.679
10
¥951.9685
9519.685
25
¥932.0692
23301.73
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT4P SP001056206
商品其它信息
优势价格，FF300R12KT4PHOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST1280C04K0
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 400 Volt 2310 Amp
1:¥1,814.7348
5:¥1,782.3829
10:¥1,738.1208
25:¥1,704.0061
50:¥1,663.9702
参考库存:23618
1N4783
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥767.1683
2:¥743.3479
5:¥743.1219
10:¥719.1433
参考库存:23621
2N4901
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
1:¥251.3459
5:¥240.0459
10:¥232.5201
25:¥213.6943
参考库存:23624
SBR10
Semtech
分立半导体
桥式整流器 A 1PHFW 1.5A STD 1KV
1:¥650.3715
5:¥637.546
10:¥609.6463
25:¥601.5781
参考库存:23627
BCR185WH6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:23630
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