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分立半导体
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RQ3E080BNTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.5764
25.764
100
¥1.1865
118.65
1,000
¥0.90626
906.26
3,000
¥0.77631
2328.93
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
RQ3E080BN
商品其它信息
优势价格，RQ3E080BNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:36029
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