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分立半导体
TK8A60W5,S5VX参考图片

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TK8A60W5,S5VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存：4,747(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.6162
3808.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Tube
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK8A60W5
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK8A60W5,S5VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFPS3810PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC
1:¥67.3932
10:¥60.8618
25:¥58.0933
100:¥50.4093
参考库存:9070
2SK2145-BL(TE85L,F
Toshiba
分立半导体
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:17403
SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥8.2264
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,500:¥3.7855
参考库存:58571
00670
Vicor
分立半导体
整流器 Diode, 1 Amp
1:¥11.6842
5:¥11.3678
10:¥11.30
25:¥10.6785
50:¥10.2943
参考库存:3461
BSC070N10NS3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0286
1,000:¥5.5483
5,000:¥5.5483
参考库存:13281
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