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分立半导体
IRFPS3810PBF参考图片

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IRFPS3810PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC
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数量单价合计
1
¥67.3932
67.3932
10
¥60.8618
608.618
25
¥58.0933
1452.3325
100
¥50.4093
5040.93
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
141 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
140 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
270 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
SP001566934
商品其它信息
优势价格，IRFPS3810PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM6968SDCA
Taiwan Semiconductor
分立半导体
MOSFET 20V Dual N channel MOSFET ESD protected
12,000:¥2.0001
24,000:¥1.9549
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RSFBL R2
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15,000:¥0.46895
22,500:¥0.42262
45,000:¥0.37629
97,500:¥0.35369
参考库存:36293
CMR1-02 BK
Central Semiconductor
分立半导体
整流器 SMB GP Rect Gen Purpose Rect
3,500:¥1.5481
10,500:¥1.4916
28,000:¥1.4238
52,500:¥1.4012
参考库存:36296
TST10L200CW C0G
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分立半导体
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2,000:¥2.8476
4,000:¥2.7233
参考库存:36299
1PGSMA4747 M2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管
7,500:¥0.69947
参考库存:36302
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