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分立半导体
2DA1213Y-13参考图片

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2DA1213Y-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -50V
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8137
28.137
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1413
1141.3
2,500
¥0.9831
2457.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 500 mV
最大直流电集电极电流
- 2 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DA12
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 500 mA, 2 V
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，2DA1213Y-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKV56/06
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 600 Volt 60 Amp 1256 Amp ITSM
1:¥312.8179
5:¥304.5124
10:¥292.6813
25:¥270.7028
参考库存:24179
T4771N28TOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR PCT 2800V
1:¥22,928.1294
参考库存:24182
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 2400 Volt 1473 Amp
1:¥2,152.1302
5:¥2,100.4214
10:¥2,048.2493
25:¥2,019.5134
参考库存:24185
SIHG33N65E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥52.7145
10:¥47.4826
25:¥43.2564
100:¥39.0302
250:¥35.8888
500:¥32.7361
参考库存:24188
VS-VSKC56/14
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 1400 Volt 60 Amp 1360 Amp IFSM
1:¥284.6922
5:¥277.1664
10:¥266.4088
参考库存:24191
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