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分立半导体
STB6N60M2参考图片

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STB6N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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数量单价合计
1
¥10.2943
10.2943
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.78
678
500
¥5.989
2994.5
1,000
¥4.7234
4723.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.06 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB6N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
22.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB6N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST1280C04K0
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 400 Volt 2310 Amp
1:¥1,814.7348
5:¥1,782.3829
10:¥1,738.1208
25:¥1,704.0061
50:¥1,663.9702
参考库存:23618
1N4783
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥767.1683
2:¥743.3479
5:¥743.1219
10:¥719.1433
参考库存:23621
2N4901
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
1:¥251.3459
5:¥240.0459
10:¥232.5201
25:¥213.6943
参考库存:23624
SBR10
Semtech
分立半导体
桥式整流器 A 1PHFW 1.5A STD 1KV
1:¥650.3715
5:¥637.546
10:¥609.6463
25:¥601.5781
参考库存:23627
BCR185WH6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:23630
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