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分立半导体
BSZ097N04LSGATMA1参考图片

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BSZ097N04LSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存:39,978(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
5,000
¥2.3843
11921.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
8.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
零件号别名
BSZ097N04LS BSZ97N4LSGXT G SP000388296
单位重量
151 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ097N04LSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30mA 50Volt 2A IFSM AUTO
1:¥3.2996
10:¥1.8645
100:¥0.99892
500:¥0.79891
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:24817
分立半导体
稳压二极管 6.8 Volt 0.41W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:24820
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.3W 2% CA
1:¥2.9154
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
10,000:¥0.36838
20,000:查看
参考库存:24823
分立半导体
稳压二极管 4.7Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:24826
分立半导体
稳压二极管 12 Volt 0.35Watt 2%
1:¥2.3052
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
10,000:¥0.28476
20,000:查看
参考库存:24829
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