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分立半导体
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CSD16323Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存：16,360(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9156
69.156
100
¥5.2997
529.97
500
¥4.6669
2333.45
2,500
¥3.277
8192.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16323Q3
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
43.700 mg
商品其它信息
优势价格，CSD16323Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG03B56-HM3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5594
12,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:32917
VS-ST330C12C0L
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - E-PUK
12:¥782.9996
36:¥756.9531
60:¥746.5006
108:¥704.781
参考库存:32920
RGL34JHE3/83
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
9,000:¥0.9379
18,000:¥0.89157
参考库存:32923
BZG04-100-M3-18
Vishay
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.3334
12,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
参考库存:32926
1N5358AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,250:¥5.7969
2,500:¥5.3788
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7912
参考库存:32929
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