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分立半导体
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CSD16323Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存:16,360(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9156
69.156
100
¥5.2997
529.97
500
¥4.6669
2333.45
2,500
¥3.277
8192.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16323Q3
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
43.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16323Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 800 Volt 4.0 Amp Glass Passivated
1:¥10.6785
10:¥9.605
100:¥7.6501
500:¥6.4297
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双向可控硅 8A 双向可控硅
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9269
2,500:¥5.3449
5,000:查看
参考库存:7170
分立半导体
变容二极管 Ls=.45nH Single SOD-882
1:¥4.4522
10:¥3.9211
100:¥3.0171
250:¥2.4521
3,000:¥1.7176
6,000:查看
参考库存:3174
分立半导体
稳压二极管 200MW 7.5V
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:5944
分立半导体
稳压二极管 500MW 22V
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:5976
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