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分立半导体
IKB06N60T参考图片

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IKB06N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A
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数量单价合计
1
¥14.9047
14.9047
10
¥12.6786
126.786
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.3676
7367.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB06N60TATMA1 IKB6N6TXT SP000014954
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IKB06N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:9789
分立半导体
双向可控硅 20 Amp 700 Volt
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6275
参考库存:6569
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 60 Volt 280 Amp IFSM
1:¥6.9947
10:¥5.6613
100:¥4.294
500:¥3.5482
6,500:¥2.5764
参考库存:10285
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
6,500:¥2.9945
参考库存:19492
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
1:¥7.1416
10:¥6.2263
100:¥4.8364
500:¥3.6386
1,000:¥2.938
3,000:¥2.938
参考库存:9535
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