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分立半导体
IKB06N60T参考图片

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IKB06N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A
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数量单价合计
1
¥14.9047
14.9047
10
¥12.6786
126.786
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.3676
7367.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB06N60TATMA1 IKB6N6TXT SP000014954
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IKB06N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR模块 400 Volt 2310 Amp
1:¥1,814.7348
5:¥1,782.3829
10:¥1,738.1208
25:¥1,704.0061
50:¥1,663.9702
参考库存:23618
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥767.1683
2:¥743.3479
5:¥743.1219
10:¥719.1433
参考库存:23621
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
1:¥251.3459
5:¥240.0459
10:¥232.5201
25:¥213.6943
参考库存:23624
分立半导体
桥式整流器 A 1PHFW 1.5A STD 1KV
1:¥650.3715
5:¥637.546
10:¥609.6463
25:¥601.5781
参考库存:23627
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:23630
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