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分立半导体
PMBFJ309,215参考图片

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PMBFJ309,215

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数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥2.2939
22.939
25
¥2.0792
51.98
100
¥1.808
180.8
3,000
¥0.9831
2949.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Vgs=0时的漏-源电流
10 mA
Id-连续漏极电流
30 mA
Rds On-漏源导通电阻
50 Ohms
Pd-功率耗散
250 mW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
PMBFJ309
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3 mm
类型
JFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
10 mS
闸/源截止电压
- 4 V
最大漏极/栅极电压
- 25 V
工厂包装数量
3000
零件号别名
934008990215
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥7.3111
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8,000:查看
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