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分立半导体
IRF3703PBF参考图片

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IRF3703PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
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库存：7,158(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8203
21.8203
10
¥18.5207
185.207
100
¥16.0573
1605.73
250
¥15.2098
3802.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
209 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
123 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001574662
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRF3703PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX585-B68,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥3.2996
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
参考库存:4985
VS-VSKE91/10
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 1000 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
1:¥304.6706
5:¥290.9185
10:¥281.8446
参考库存:1639
BZT52C18S-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 200mW 18V
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.73789
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:7229
PD57060-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥415.5462
5:¥406.2576
10:¥390.3472
25:¥377.7477
参考库存:3084
PUMH24,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:29493
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