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分立半导体
APT150GN120J参考图片

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APT150GN120J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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数量单价合计
1
¥303.744
303.744
2
¥295.5289
591.0578
5
¥287.3025
1436.5125
10
¥279.1552
2791.552
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
215 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT150GN120J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N4119C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥99.2027
200:¥90.4452
500:¥84.6031
1,000:¥77.6084
参考库存:34489
JAN1N4616CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥122.1756
200:¥111.418
500:¥104.1973
参考库存:34492
SET010104
Semtech
分立半导体
整流器 A 1PHHW 15A FAST 400V
10:¥1,149.2213
参考库存:34495
JAN1N965DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥103.96
200:¥94.7392
500:¥88.6711
1,000:¥81.2922
参考库存:34498
JAN1N5622US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥93.9708
250:¥85.7557
500:¥80.2187
1,000:¥73.5404
参考库存:34501
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