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分立半导体
APT150GN120J参考图片

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APT150GN120J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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库存:1,085(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥303.744
303.744
2
¥295.5289
591.0578
5
¥287.3025
1436.5125
10
¥279.1552
2791.552
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
215 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT150GN120J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A,35V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
1:¥12.0684
10:¥9.9101
100:¥7.6501
500:¥6.5766
800:¥5.1867
参考库存:25335
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥642.9926
参考库存:25338
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:25341
分立半导体
SCR模块 600 Volt 500 Amp
1:¥515.054
5:¥505.6072
10:¥484.7022
25:¥469.5715
参考库存:25344
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8
1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
5,000:¥6.0681
10,000:查看
参考库存:25347
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