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分立半导体
ZXTN07012EFFTA参考图片

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ZXTN07012EFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V HIGH GAIN
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
3,000
¥1.6046
4813.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
4.5 A
增益带宽产品fT
220 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN07012
直流电流增益 hFE 最大值
500
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 100 mA, 2 V, 400 at 2 A, 2 V, 330 at 4.5 A, 2 V, 140 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RZF020P01TL
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:9720
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 1A
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.80682
参考库存:8360
DMC264000R
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:7563
MCR69-3G
Littelfuse
分立半导体
SCR 100V 25A
1:¥14.9047
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:5035
DTC114EET1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:22377
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