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分立半导体
TK7J90E,S1E参考图片

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TK7J90E,S1E

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
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数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
TK7J90E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N4119C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥99.2027
200:¥90.4452
500:¥84.6031
1,000:¥77.6084
参考库存:34489
JAN1N4616CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥122.1756
200:¥111.418
500:¥104.1973
参考库存:34492
SET010104
Semtech
分立半导体
整流器 A 1PHHW 15A FAST 400V
10:¥1,149.2213
参考库存:34495
JAN1N965DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥103.96
200:¥94.7392
500:¥88.6711
1,000:¥81.2922
参考库存:34498
JAN1N5622US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥93.9708
250:¥85.7557
500:¥80.2187
1,000:¥73.5404
参考库存:34501
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