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分立半导体
DGTD65T50S1PT参考图片

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DGTD65T50S1PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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数量单价合计
1
¥43.1886
43.1886
10
¥36.725
367.25
100
¥31.8095
3180.95
250
¥30.1936
7548.4
500
¥27.0522
13526.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
5.600 g
商品其它信息
优势价格,DGTD65T50S1PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR
1:¥3.2996
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
参考库存:25821
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 600 Volt 70 Amp
100:¥73.5404
200:¥67.0768
500:¥62.7828
1,000:¥57.5509
参考库存:25824
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1:¥116.7968
10:¥106.1974
25:¥98.197
50:¥92.8973
参考库存:25827
分立半导体
稳压二极管
1:¥52.8614
10:¥47.5617
25:¥43.3355
100:¥39.1093
200:¥35.9566
参考库存:25830
分立半导体
SCR模块 910 Amp 800 Volt 1857 Amp IT(RMS)
1:¥1,290.7538
5:¥1,259.7127
10:¥1,228.3665
25:¥1,211.1566
参考库存:25833
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