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分立半导体
DGTD65T50S1PT参考图片

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DGTD65T50S1PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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库存:5,005(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.1886
43.1886
10
¥36.725
367.25
100
¥31.8095
3180.95
250
¥30.1936
7548.4
500
¥27.0522
13526.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
5.600 g
商品其它信息
优势价格,DGTD65T50S1PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:5815
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
1,000:¥12.3735
2,000:查看
参考库存:5669
分立半导体
稳压二极管 0.5W 5.6V 5%
1:¥1.2317
10:¥1.02943
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
参考库存:50396
分立半导体
MOSFET OptiMOS - power MOSFET for automotive applications
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.2153
5,000:¥9.0626
10,000:查看
参考库存:9544
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 6.2V 1% 250mW 3-Pin
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.9605
参考库存:42062
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