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分立半导体
IPB65R660CFDA参考图片

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IPB65R660CFDA

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2
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库存：3,923(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.6052
136.052
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
1,000
¥7.91
7910
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
594 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CoolMOS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon / IR
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R66CFDAXT SP000875794
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，IPB65R660CFDA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N4106D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥195.0154
200:¥178.9581
500:¥170.3588
参考库存:29119
JAN1N4467CUS
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥185.0262
250:¥169.8164
500:¥161.59
参考库存:29122
2N1890S
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥149.9962
250:¥137.6227
500:¥131.0122
参考库存:29125
JANTXV1N6631US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥227.0622
250:¥208.3946
参考库存:29128
JANTX1N3023CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥249.8091
250:¥229.2092
参考库存:29131
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