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分立半导体
IKW40N120H3参考图片

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IKW40N120H3

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数量单价合计
1
¥65.1558
65.1558
10
¥58.9408
589.408
25
¥56.1723
1404.3075
100
¥48.7934
4879.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
483 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N120H3FKSA1 IKW4N12H3XK SP000674416
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW40N120H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
参考库存:16750
分立半导体
整流器 30A 600V 27ns Hyperfast
1:¥46.5673
10:¥38.5782
100:¥31.8095
250:¥30.8151
500:¥27.6624
参考库存:4204
分立半导体
MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
2,500:¥9.5259
参考库存:11176
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
2,500:¥4.294
10,000:查看
参考库存:7655
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8817
1,000:¥5.4353
4,000:¥5.4353
参考库存:7814
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