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分立半导体
IKW40N120H3参考图片

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IKW40N120H3

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数量单价合计
1
¥65.1558
65.1558
10
¥58.9408
589.408
25
¥56.1723
1404.3075
100
¥48.7934
4879.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
483 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N120H3FKSA1 IKW4N12H3XK SP000674416
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW40N120H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
3,000:¥2.9493
参考库存:4963
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥5.2997
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
2,500:¥1.8984
参考库存:7065
分立半导体
MOSFET PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
1:¥45.7989
10:¥38.8833
100:¥33.7305
250:¥31.9677
500:¥28.7359
参考库存:2070
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥5.6048
10:¥4.6895
100:¥3.0284
1,000:¥2.4182
3,000:¥2.4182
参考库存:5069
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1884
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
参考库存:2571
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