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分立半导体
IKW40N120H3参考图片

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IKW40N120H3

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数量单价合计
1
¥65.1558
65.1558
10
¥58.9408
589.408
25
¥56.1723
1404.3075
100
¥48.7934
4879.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
483 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N120H3FKSA1 IKW4N12H3XK SP000674416
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW40N120H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SS SHKY DIO 7V TR
1:¥3.4578
10:¥2.4634
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:22690
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稳压二极管 25 Volt 0.225W 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:19692
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE MINIBLOC
1:¥1.6159
10:¥1.11418
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:25694
分立半导体
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1:¥4.1471
10:¥2.8702
100:¥1.9436
500:¥1.5594
5,000:¥1.00683
10,000:查看
参考库存:9696
分立半导体
达林顿晶体管 NPN/ 110V/ 1.5A
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
4,000:¥1.02152
参考库存:8693
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