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分立半导体

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APTGT400DA60D3G

制造商:Microsemi
批号:新批次
描述:IGBT 模块 Power Module - IGBT
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参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	1.5 V
在25 C的连续集电极电流	500 A
栅极—射极漏泄电流	400 nA
Pd-功率耗散	1.25 kW
封装 / 箱体	D3-11
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Bulk
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	Chassis Mount
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APTGT400DA60D3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
	APTM100H35FT3G	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	分立半导体模块 Power Module - Mosfet	100:¥929.0747	参考库存:34397
	SMAJ5925BE3/TR13	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	7,500:¥3.3335 22,500:¥3.1301	参考库存:34400
	BZD27B3V9P-M3-18	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 ZENER SMF DO-219AB	50,000:¥0.72207	参考库存:34403
	1PMT5954BE3/TR13	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	12,000:¥3.8307 24,000:¥3.5369	参考库存:34406
	UES1302SME3/TR	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	整流器	100:¥247.809 200:¥231.2884	参考库存:34409

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