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分立半导体
IRFP4229PBF参考图片

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IRFP4229PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 250V 44A 46mOhm 72nC Qg
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库存：1,473(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.7416
29.7416
10
¥25.2781
252.781
100
¥21.8994
2189.94
250
¥20.7468
5186.7
500
¥18.5998
9299.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
46 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
310 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP001578046
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRFP4229PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM5N700T2
Rectron
分立半导体
MOSFET TO-220 MOSFET
1,000:¥5.5031
2,000:¥4.7234
4,000:¥4.3053
10,000:¥3.9211
参考库存:52862
STTH512D
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Ultrafast recovery 1200 V diode
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6105
500:¥5.8421
参考库存:6866
STGB40V60F
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
1:¥31.5044
10:¥26.7358
100:¥23.2102
250:¥21.9785
1,000:¥16.6788
2,000:查看
参考库存:6079
STL30P3LLH6
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 package
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:8082
1N4777A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥575.6107
参考库存:52871
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