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分立半导体
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FQI4N80TU

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数量单价合计
1
¥15.4471
15.4471
10
¥13.1419
131.419
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI4N80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.8 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
2.084 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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