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分立半导体
DMN3022LDG-7参考图片

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DMN3022LDG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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3039.7
3,000
¥3.0397
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC, 8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.96 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1.9 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.8 ns, 2.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.2 ns, 11.7 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns, 5.6 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
优势价格，DMN3022LDG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX384-B36,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:10894
D3Z12BF-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 400mW 11.99V Zener ZENER DIODE
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:10377
MMBZ5228BLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.9V 225mW
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:36635
DMP210DUFB4-7B
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:14302
TZX3V9C-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.5W 2%
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:39422
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