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分立半导体
TK100E10N1,S1X参考图片

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TK100E10N1,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
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库存:5,324(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.9675
27.9675
10
¥22.5096
225.096
50
¥22.5096
1125.48
100
¥20.5208
2052.08
250
¥18.5207
4630.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
207 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
140 nC
配置
Single
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK100E10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK100E10N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 5.1V .5W
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥1.1413
1,000:¥0.84524
10,000:¥0.66105
20,000:查看
参考库存:11446
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE: 10A 600V
1:¥35.1882
10:¥29.8885
100:¥25.8996
250:¥24.5888
参考库存:3956
分立半导体
稳压二极管 250mW 5% Tolerance
1:¥2.7685
10:¥1.9888
100:¥1.1413
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:11768
分立半导体
MOSFET
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2998
500:¥6.4523
1,000:¥5.0963
参考库存:3053
分立半导体
整流器 VRM=200 IFSM=30
1:¥7.1416
10:¥6.4749
100:¥5.876
500:¥5.0737
2,500:¥4.2375
10,000:查看
参考库存:7472
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