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分立半导体
CSD88599Q5DCT参考图片

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CSD88599Q5DCT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V POWERBLOCK N CH MOSFET
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库存:4,147(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.6353
50.6353
10
¥45.4938
454.938
100
¥37.3465
3734.65
250
¥35.0413
8760.325
500
¥31.8095
15904.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-22
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD88599Q5DC
商标
Texas Instruments
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
100.600 mg
商品其它信息
优势价格,CSD88599Q5DCT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 20V Dual N channel MOSFET ESD protected
12,000:¥2.0001
24,000:¥1.9549
参考库存:36290
分立半导体
整流器 0,5A, 100V, SMF FAST RECOVERY
15,000:¥0.46895
22,500:¥0.42262
45,000:¥0.37629
97,500:¥0.35369
参考库存:36293
分立半导体
整流器 SMB GP Rect Gen Purpose Rect
3,500:¥1.5481
10,500:¥1.4916
28,000:¥1.4238
52,500:¥1.4012
参考库存:36296
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肖特基二极管与整流器 Dual Trench schottky 10amp 200v
2,000:¥2.8476
4,000:¥2.7233
参考库存:36299
分立半导体
稳压二极管
7,500:¥0.69947
参考库存:36302
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