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分立半导体
TK39A60W,S4VX参考图片

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TK39A60W,S4VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
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库存：4,190(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.919
74.919
10
¥67.461
674.61
50
¥61.472
3073.6
100
¥55.483
5548.3
250
¥51.0195
12754.875
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK39A60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK39A60W,S4VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BTB12-600BWRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 12 Amp 600 Volt
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2433
500:¥6.3958
参考库存:3929
BUJ105AB,118
WeEn Semiconductors
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab)
1:¥7.3789
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
800:¥3.2318
参考库存:3693
Q8010L5
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 800V 10A 50-50-50mA
1:¥21.2892
10:¥17.1308
100:¥13.673
500:¥11.9893
1,000:¥9.9101
参考库存:3731
VS-VSKL91/16
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 1600 Volt 95 Amp 2094 Amp IFSM
1:¥358.3795
5:¥348.7745
10:¥335.2484
参考库存:3203
L6004L3TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 4A Sensing 3-3-3-3mA
1:¥16.9048
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
参考库存:3677
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