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分立半导体
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FQP32N20C

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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
1,000
¥7.8422
7842.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
82 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP32N20C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
210 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
270 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
245 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
FQP32N20C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP32N20C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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