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分立半导体
RQ3E130MNTB1参考图片

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RQ3E130MNTB1

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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
3,000
¥3.0623
9186.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14 nC
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,RQ3E130MNTB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:17470
分立半导体
MOSFET Nch+Nch 30V Power MOSET
1:¥6.0681
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1809
参考库存:2871
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Switching diode, 80V 80V, 0.08A US6
1:¥3.2318
10:¥2.1131
100:¥1.1865
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.7458
参考库存:4265
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:8691
分立半导体
桥式整流器 800 Volt 35 Amp
1:¥52.7936
10:¥43.7197
100:¥36.0357
200:¥34.8831
参考库存:1932
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